化學氣相沉積爐（CVD系統）是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應，從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。
型號：
城市：上海市
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更新時間：2021-11-18
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| 品牌 | HAOYUE/皓越 | 升溫速度（達到最高溫） | 10℃min |
|---|---|---|---|
| 控溫精度 | ±1℃ | 最高溫度 | 1200℃ |
| 價格區間 | 5萬-10萬 | 儀器種類 | 管式爐 |
| 產地類別 | 國產 | 應用領域 | 化工,能源,電子,冶金,制藥 |
化學氣相沉積爐（CVD系統）是一款專業在沉底材料上生長高質量石墨烯、碳納米管、碳化硅的設備，廣泛應用于在半導體、納米材料、碳纖維、碳化硅、鍍膜等新材料新工藝領域。
高真空CVD系統主要由高溫腔體、石英管、石英支架、氣路系統、分子泵機組、自動化控制系統、冷卻系統等組成。
產品特點：
1、沉底材料可采用銅箔、石墨等；
2、生長腔體采用進口高純石英管，配石英支架、為石墨烯等材料的生長提供潔凈環境；
3、爐膛采用進口高純氧化鋁多晶體纖維，不易掉粉、壽命長且保溫性能好。加熱絲采用優質摻鉬鐵鉻鋁合金加熱絲，溫場均勻，能耗低；
4、密封法蘭均采用不銹鋼材質，配水冷套，可連續長時間工作；
5、氣路系統采用兩路質量流量計（可拓展多路），配預混系統；
6、氣體種類： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6；
7、溫度、氣體、真空、冷卻水等通過PLC控制，通過PC實時控制和顯示相關的實驗參數，自動保存實驗參數，也可采用手動控制；
8、系統采用集成化設計，控制系統、混氣罐、質量流量計等均內置在箱體內部，占地面積小。整體安裝四個可移動輪子，方便整體移動。
技術參數：
| 型號 | HTF1200-2.5/20-2F-LV | HTF1200-5/20-4F-HV | HTF1200-6/40-2M-LV | HTF1200-8/40-4M-HV |
| 設計溫度（℃） | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 |
| 控溫精度（℃） | ±1 | ±1 | ±1 | ±1 |
| 加熱區直徑（mm） | 25 | 50 | 60 | 80 |
| 加熱區長度（mm） | 200 | 200 | 400 | 400 |
| 加熱管長度（mm） | 450 | 450 | 1000 | 1000 |
| 恒溫區長度（mm） | 80 | 80 | 150 | 150 |
| 額定電壓（V) | 220 | 220 | 220 | 220 |
| 額定功率(KVA) | 1.2 | 1.2 | 3 | 3 |
| 真空機組 | HTF-101 | HTF-103 | HTF-101 | HTF-103 |
| 供氣系統 | HTF-2F | HTF-4F | HTF-2M | HTF-4M |
